[オン・セミコンダクタ（Nasdaq: ONNN）は本日、高レベルの保護機能を集積したローサイド保護MOSFETを発表しました。]
オン・セミコンダクタ
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NCV840xファミリのデバイスは、AEC-Q101規格に準拠しており、過酷な自動車環
境や産業環境で動作するスイッチング・アプリケーションでの使用に最適です。
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NCV8401、NCV8402、NCV8402D (デュアル・ダイ)、NCV8403およびNCV8405はすべ
て、堅牢で高信頼性動作用に設計されており、幅広い自己保護機能を備えていま
す。これらの機能には、温度および電流制限、静電気放電（ESD）保護、過電圧
保護用集積ドレイン-ゲート間クランピングなどがあります。
オン・セミコンダクタのオートモーティブ・パワー製品担当ディレクタJim Alv
ernazは、次のように語っています。「自動車における電子部品の量は増加し続
けており、部品点数と貴重なスペースの削減に寄与する半導体ソリューションを
提供する必要があります。」「NCV840xファミリは、過酷な自動車環境で使用す
るのに十分な耐久性を備えたシステム・デザインを実現しながら、これを達成し
ています。」
特長と利点
NCV840x ドライバを使用すると、さまざまな抵抗性、誘導性、および容量性負荷
を切り替えることができ、電気機械式リレーやディスクリート回路を、より小型
で堅牢、かつ動作寿命の長い代替方法に置き換えることができます。すべてのデ
バイスがロジック・レベル入力を備えています。
NCV8401、NCV8402/D およびNCV8403 のドレイン-ソース間電圧定格（VDSS）は4
2Vで、最大ドレイン電流（ID）はそれぞれ33 A、2 A、15 Aです。NCV8405は40
VDSSで定格が規定されており、最大ID定格は6 Aです。ゲート-ソース間電圧はど
のデバイスも±14 Vです。
新しいファミリのすべてのメンバは、オン抵抗（RDS(ON))値が低いため、よりエ
ネルギー効率の高いシステム・デザインが可能です。NCV8401、NCV8402/D、NCV
8403、NCV8405の（10 Vでの）RDS(ON)値は、それぞれ23 mΩ、165 mΩ、53 mΩ、9
0 mΩ です。
すべてのデバイスが-40 〜150 °Cの広い動作温度範囲と高い静電抵抗レベル
（接合部温度25で4000 V）を備えています。ターンオフ温度限界はVGSが5Vのと
きに175、10Vのときに165に設定されています。
パッケージと価格
NCV840x は鉛フリーのSOT-223、DPakおよびSOIC8パッケージで提供されます。N
CV840x デバイスの 1,000個注文時の単価は0.25 〜 0.58米ドルです。
詳細については、http://www.onsemi.jpをご覧ください
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